Schnellherd

Produktbeschreibung:

Echte RTP100Typ Schnellherd ist SüdkoreaULTECHEiner der Firmen.4Zoll-Schnellherzofen, mit innovativer Heiztechnologie, kann eine echte Grundtemperatur-Messung erreichen, braucht keine Temperaturkompensation des herkömmlichen Schnellherzofens, präzise Temperaturregelung, hohe Temperaturwiederholbarkeit, Kunden, darunter viele internationale Halbleiterunternehmen und wissenschaftliche Teams, ist die ideale Wahl für den Halbleiterprozess.

n Technische Merkmale:

-Echte Substrattemperaturmessung ohne herkömmliche Temperaturkompensation

-Infrarot-Halogenlampe Heizung

-Ausgezeichnete Heiztemperaturgenauigkeit und -gleichmäßigkeit

-Schnelle ZahlenPIDTemperaturregelung

-Kaltwandvakuumkammer aus Edelstahl

-Gute Systemstabilität

-Kompaktes, kleines Desktopsystem

-Mit TouchscreenPCKontrolle

-Kompatibel mit Normaldruck und Vakuumumgebung, Vakuumstandardwert5x10-3TorrVerwendet eine Sekundärmolekularpumpe mit niedrigem Vakuum5x10-6Torr

-3Gaswege (MFCKontrolle)

-Keine Kreuzverschmutzung, keine Metallverschmutzung

n Technische Präsentation:

Wie in der obigen Abbildung, durch die Array-Halogenlampe Strahlung von Wärme durch das Quarzfenster die Probenoberfläche zu erreichen, wird die Probe erhitzt, die herkömmliche Schnellherzofen verwenden Thermoelektronen zur Messung der Substrattemperatur, da das Thermoelektrone und die Substrattemperatur einen gewissen Abstand haben, die gemessene nicht die reale Temperatur der Substrat, muss eine Temperaturkompensation durchgeführt werden.

Echte RTP100Typ Schnellherzofen mit einem speziellen ScheibenEchtes T / C-KITDurchführung der Temperaturmessung, wie oben, Thermoelement und ScheibenEchtes T / C-KITVerknüpft, während der ArbeitEchtes T / C-KITNahe an der Probe gelegen, strahlt die Array-Halogenlampe Wärme über ein Quarzfenster an die Probenoberfläche, die Probe wird erhitzt und in ScheibenformEchtes T / C-KITGleichzeitig wird sie aufgrund derEchtes T / C-KITIn unmittelbarer Nähe findet auch eine Wärmeübertragung zwischen ihnen statt und erreicht bald das thermische Gleichgewicht, so dass die ScheibenEchtes T / C-KITDie gemessene Temperatur nähert sich unendlich der realen Temperatur des Substrats und ermöglicht somit eine echte Messung der Substratstemperatur.

n Haupttechnische Parameter:

-Grundplattengröße:4Zoll

-Basisbasis: Quarznadel (optional)SiCBeschichtete Grafik)

-Temperaturbereich:150-1250℃

-Heizgeschwindigkeit:10-200 ℃ / S

-Temperaturgleichmäßigkeit:≤±1,5% (@800 ℃, Siliziumwafer)

≤±1,0% (@800 ℃, Substrat auf SiC beschichteten Graphitempfänger)

-Genauigkeit der Temperaturregelung:≤ ±3℃

-Temperaturwiederholbarkeit:≤ ±3℃

-真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

-Gaswegversorgung: Standard1WegN2Wäsche- und Kühlluftwege, durchMFCSteuerung (maximal optional)3Straße)

-Feuerdauer:≥ 35min@1250 ℃

-Temperaturregelung: SchnellzahlPIDKontrolle

-Größe870mm * 650mm * 620mm

nBasistyp:

-SiliziumwaferSilizium

-Zusammengesetzte HalbleiterwaferVerbindungs-Halbleiter-Substrate

-GaN/Saphir Wafer für LEDsfürLEDsderGaN/Sapphire Basis

-Siliziumcarbid WaferSiliziumkarbid-Basis

-Polysiliziumwafer für SolarzellenPolykristalline Silizium-Basis für Solarzellen

-GlassubstrateGlasunterlagen

-MetalleMetall

-PolymerePolymere

-Graphit- und Siliziumcarbid-SuszeptorenGraphithalter für Graphit und Siliziumkarbid

nAnwendungsbereiche:

Ioneninjektion/Kontaktherzen, schnelle Wärmebehandlung(RTP)Schnell abzünden.(RTA)Schnelle thermische Oxidation(RTO)Schnelle heiße Nitrifizierung(RTN)Kann unter verschiedenen Umgebungen wie Vakuum, inerte Atmosphäre, Sauerstoff, Wasserstoff, Mischgas verwendet werden,SiAu, SiAl, SiMoLegierung, niedrige dielektrische Materialien, Kristallisierung, Verdichtung, Solarzellenplattenbindung usw.